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Elecbee GM328A LCD晶体管测试仪二极管ESR计PWM波发生器焊接模块

SKU: EB0046690
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主要特点

1、处理器采用高性能单片机ATMEAG328P DIP-28。 带IC座。
2、显示单元采用160x128像素彩色显示器,全屏字符数8x20,色深16位,图形显示元件符号。
3.旋转编码开关控制,一键测量,自动关机。
4、采用9V叠层电池供电,也可通过电源适配器供电。 电流约30mA,关机后电流约20nA。
5.自动检测NPN和PNP三极管、场效应管、二极管、双二极管、晶闸管、晶闸管,自动识别上述三极管引脚分布。
6、测试NPN和PNP三极管共发射极电流放大倍数、基极-发射极阈值电压、关断时集电极-发射极漏电流。
7、通过三极管基射阈值电压和高电流放大系数来识别达林顿晶体管。
8、检测功率二极管和场效应管内置保护二极管。
9、测试场效应管栅源开启阈值电压、漏源导通电阻、栅源电容。
10、一次最多可以测量2个电阻,所以三脚可调电阻也可以测量。 如果将可调电阻调到端点,则只能测出一个电阻值。
11.对于大于90nF的电容,同时测量等效串联电阻(ESR)。 等效串联电阻的分辨率高达0.01Ω。
12.对于大于5000pF的电容,还显示充电后的电压下降率。 这个值可以反映电容器的品质因数(Q值)。
13. 一次最多测量两个二极管,显示它们的正负导通电压。
14. LED也显示为二极管的图形符号,其开启电压远高于普通二极管。
15. 反向击穿电压小于4.5V的齐纳二极管也可以被检测并显示为双二极管符号。 正负极各有一个二极管符号,导通电压约为700mV,另一个二极管符号对应的导通电压为规定值。 所以不要同时测量一个普通二极管和一个齐纳二极管。
16、测试单个二极管时,同时测试PN结的反结电容。 也可以测试晶体管的PN结电容。 此时,只能将晶体管的基极和发射极,或者基极和集电极同时放置。
17. 25pF以下的电容也可以测试。 这种测试需要一个 30pF 的电容。 首先测试 30pF 电容。 然后将待测电容并联测量,再测量。 减去 30pF 电容的测量值。
18. 同时测量最大电阻为 2100Ω 的电感,测量范围为 0.01mH 至 20H。
19、测试过程大约需要2秒,大电容和电感需要更长的时间。
20. 频率测量范围为 1 Hz 至 1 MHz 或更高。 当测量频率低于 25 kHz 时,可以以 0.001 MHz 的分辨率显示周期。
21.直流电压测量高达50V。
22、输出单路方波信号,多种频率可选,最高输出频率2MHz。
23、输出1路固定频率,可调占空比脉冲信号(PWM),占空比从1%调整到99%。
24、独立电容测试功能,测试方式为连续测量。 对于2uF-50mF的电容,可以在其电路中直接测量。 (被测电容所在的电路必须断电,被测电容需要完全放电。)
25、晶闸管和晶闸管只能识别其引脚排列,也需要测试晶闸管或晶闸管的触发电流小于测试仪所能提供的电流。 测试仪只能提供高达 6mA 的触发电流。
26.红外遥控解码和编码支持TC9012和upD6121芯片的编码格式
注意:
在测量电容之前,必须将电容器放电,否则很可能损坏仪表。
测试电路板上的元器件时一定要断开电路板的电源,不允许测试设备有残压。

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描述
多功能晶体管测试仪,用于自动检测NPN和PNP晶体管,N沟道,P沟道,MOSFET和JFET,二极管,双二极管,晶闸管,自动识别晶体管引出线。 它也可用于频率测量和PWM信号发生器。
规格:
类型:组装测试仪
显示:1.8寸160*128液晶屏
输入电压:DC 6.8V-12V
工作电流:约30mA,输入7.5V直流电压时测得
电阻测量:最大。 50MΩ
电阻分辨率:0.01Ω
电容测量:25pF~100mF
电容分辨率:1pF
电感量测:0.01mH~20H
PCB 尺寸:7.5 x 6cm / 2.95 x 2.36in
产品重量:50
包装尺寸:约。 10 x 7 x 2 厘米 / 3.94 x 2.75 x 0.8 英寸
包装重量:53g / 1.9oz


包裹包括:


1 x 晶体管测试仪



GM328A-LCD-Transistor-Tester-Diode-ESR-Meter-PWM-Square-Wave-Generator-Soldered-Module-1124279

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