Elecbee 高直線性広帯域RF増幅20dB0.02-3G高性能ミディアムパワーアンプモジュール

SKU: EB0051553

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主要特徴

高性能 InGaP HBT MMIC アンプは、ダーリントン構成とアクティブバイアスネットワークを使用しています。

アクティブバイアスネットワークは、温度とテストプロセスに応じて安定した電流変動を提供します。

5V 電源から直接動作するように設計されており、一般的なダーリントンアンプと比較して降圧抵抗は必要ありません。

この製品は、小型サイズと最小限の外部 5V ゲインを必要とする高い直線性を実現するように設計されています。

説明：

1.供給電圧：標準+5V（標準電流値90mA）

2. ゲイン: 標準値 20dB@2G 入力および出力インピーダンス: 50 オーム

3. 最大出力: P1db +20dBm (@2GHz)

4. 入力信号:<+10dBm (output signal is distorted when input is greater than +10dBm)

5. 帯域幅: 0.02-3GHZ (ゲインは異なる周波数でわずかに異なります)

6. 雑音指数: 4.1dB@1GHz

仕様

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1×RFアンプ

High-Linearity-Wideband-RF-Amplification-20dB-002-3G-High-Performance-Medium-Power-Amplifier-Module-1381560

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